とりあえず基盤が完成。
ブースター基板
Fat Booster 1互換
やっと製作再開。以前に側だけ作っていたブースターの基盤がやっと出来上がりました。なんとも遅い進み具合です。途中に半年間ぐらいブランクがありましたのでいたしかたなしです。
今回製作したのは自作系エフェクターでは超有名サイトのGGGに掲載されているMini-BoostersのなかにあるBoutique Boosterです。
回路そのものはFulltone初代のFat Boosterのクローンのようですが、ブースター系を作るのは初めてなのでどのような音になるかが楽しみです。
今回、増幅素子のFETにいつもの2SK30ATMではなく、初めて洋物（笑）を使いました。製作例では2N5457が指定されていたのですが日本橋の店頭では見つからずファミリのデバイスである2N5458を使いました。違いはIDDSの値が2N5457は3mA(typ.)なのですが、2N5458は6mA(typ.)になっています。この違いが音の差に現れるのかは興味深い所ではあります。
TO-92のパッケージのデバイスですが、日本製と海外製ではピン配置が違うので注意が必要です。
FETの場合、日本製は平たい面を正面に向けて左からS(Souce)-G(Gate)-D(Drain)となっていますが、海外製はD-S-Gになっています。ピンの配置は日本製の方が回路記号に近くて良いと思っているのですが、通常のバイポーラトランジスタになるとこれが逆になってしまいます。
日本製はE(Emitter)-C(Collector)-B(Base)となっており「ECBでエクボ」と覚えるなんて言われますが、海外製はE-B-Cの順になっておりこちらの方がトランジスタの回路記号に近く、こんな所に海外格差が（笑）現れています。
基盤との接続は日圧のXHコネクタを利用しますので、結局作例で示されていた基盤レイアウトは採用せずEAGLEで回路図を入力してレイアウトを作り直ししました。ボリュームの回転方向と動作が逆かもしれませんので、試奏して確かめることが必要なようです。